カスタムMCPオプション
Bake & Scrub
電子増幅器を真空中でベーキングすることは増幅器を電気的に安定せるために必要です。
短期間でのベーキングは、高い性能を維持するために、長期のベーキングは、増幅器のゲインを保持するために必要な電圧の上昇を最小にします。このプロセスは、宇宙空間での爆発のようなものを、長く継続して観測する場合などに簡単な不良を確認するために用いられます。
Bias Angle
色々な荷電粒子や電磁波に対するMCPの検出効率は、それらの入射角度をコントロールすることで最適な状態になります。
この入射角度をコントロールするためにMCPのバイアス角度を指定することができます。
Bais Current
ダイナミックレンジは、高カウントレートにおいてMCPのバイアス電流により最終的に制限されます。動作中の2次電子放出は、放射表面に電荷の消耗を起こし、電荷量が回復するまで増幅は起きません。
Extended Dynamic Range MCPのように、高バイアス電流のMCPは、この消耗を起こす水準が高くなっています。
低バイアス電流MCPは、明るいものが物理的に閉鎖されている場所にあるような弱い信号を増幅します。
Center Hole
MCPの中心にビーム等を通過させるための穴をあけることができます。
Coating
20nm〜200nmのUV光の検出効率を上げるためにCsI,CuI,MgF2 を、
0.2KeV〜9KeVのX線の検出効率を改善するためにKBrを選択できます。
End Spoiling
End Spoilingは、チャンネルの出力側で出射される電子ビームの範囲を限定します。
End Spoilingは、各チャンネルからの電子線をフォーカスする電子レンズのような役割をします。
広いEnd Spoilingは、チャンネルを広げ、より高い位置分解能になり、ゲインは比例して低くなります。反対に薄い場合は、高ゲインで位置分解能が低くなります。
Gold Electroding
MCPをゲーティングさせて使用する時などに、MCPにかける電圧をすばやくオン,オフさせる必要のあるばあいに金属抵抗が低いことが重要になります。
Hydrogen Fired
Hydrogen fired MCPは、表面の電極を持たず、そのため電子増幅を必要としないガスフローやコリメーションアプリケーションに適しています。
特別な金属皮膜パターンを要求されるものに使用されます。
L/D 60:1 - L/D 80:1
L/D比が大きくなると機械耐久性が増し、ゲインを大きくし、パルスカウンティングにおけるパルスハイトディストリビューション(PHD)を鋭くします。
Open Area Ratio
通常の使用においてMCPの検出効率は、Open Area Ratio(OAR)により制限されます。より小さな穴径のMCPは高いOARを持ち結果として検出効率が高くなります。
標準のMCPのOARは、大体55-65%です。
OARのご指定がある場合はお問い合わせください。
MCP-Sets
重ね合わせたMCPのバイアス電流を調整することは、中間の電極を無くし1つの電源で動作させることができ位置分解能やPHDを改善します。
  1. バイアス電流(抵抗)を調整したMCPを二つ重ねたものは、パルスカウンティングにおいてゲインは10 6 程度になります。
    調整された2枚重ね合わせたMCPは、Chevronとしての一般的電気特性仕様を保証します。
  2. バイアス電流を調整した、MCPを3枚重ね合わせたもののゲインは107になり、Z-Stackとしての一般的電気特性仕様を保証します。
ASSEMBLIES ( single MCP,Chevron Assembly,Z-stack Assembly)
実際の多くの使用目的に合うようにスタンダードLong-Life MCPディテクターを色々開発しており、それらは真空チャンバーにすばやく簡単に取りつけられるようにデザインされています。
標準的なものは、非磁性のSUS304の中に取りつけられ、300℃までのベーキングができます。
標準で、シングルMCP(Channel Electron Multiplier Array,*CEMA*)と2つMCPを合わせたChevronで対応しています。
 

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